نانوساختارهای بی نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
نویسندگان
چکیده
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است.
منابع مشابه
نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
متن کاملاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...
متن کاملبررسی اثرات پتانسیل‌های ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی
We investigate the effect of dipole-dipole and quadrapole- quadrapole interaction of a weakly interacting Bose gas near the transition temperature on the energy spectra of the thermal and condensate parts. We use the two fluid model and mean field approximation. We show that the effects of the condensate part on the shift of energy is greater than the case of contact potential
متن کاملفلسفه رقص آنتروپیک نظم و بی نظمی در تولید معنا
غالبا هنگام مطالعه مسائل مربوط به کنترل سیستم های پیچیده اختلالات این نوع سیستم ها از بابت درجه نظم و سازمانشان مورد توجه قرار می گیرد . خاصیت اساسی هر سیستم سازمند را در آن میدانند که کمابیش منظم باشد . اطلاعات نیز در سیر توسعه خود با مفهوم آنتروپی ، نگانتروپی، و نظم و بی نظمی که محققان ترمودینامیک در قرن نوزدهم ابداع کرده اند پیوند یافته است . هر چه بی نظمی بیشتر باشد حضور اطلاعات در سیستم ک...
متن کاملاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منح...
متن کاملبررسی تغییرات گاف انرژی و تعیین اندازه نقطه‌های کوانتومی PbS تهیه شده در محلول کلوییدی
PbS semiconductor non-crystals have been synthesized in order to study the modification of their electronic structures and optical properties in relation to their size. The synthesis has been carried out by using the techniques of colloidal chemistry. Strong quantum confinement behavior has been observed based on the analysis of optical spectra of these particles. The average particle size ap...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۳، شماره ۳، صفحات ۲۸۳-۲۸۷
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023